李eb 晶格变轴磁体的谱选线性二色性与激子效应

变轴磁体最近被认识为一种由备选自旋能级结构构成的磁性材料类别，区别于传统磁体，后者具有净磁化。尽管对其单粒子自旋器件和变轴器件进行了大量研究，但许多电子相互作用及其光学响应仍鲜有探索。本文采用多体扰动理论研究激发态及其应变可调性。以单层 Mn2WS4 为代表性候选材料，我们发现二维变轴磁体李eb 晶格中存在一种新的自旋-谱位相关的激子选择规则。除了强束缚激子外，我们发现线性偏振光可选择性地激发谱位自旋偏挝的激子。此外，由于变轴磁体自旋对称性与电子轨道性质之间的相互作用，我们预测将施加单轴应变可将谱位退轨能分裂，从而实现对自旋偏挝激子的选择性激发，这种效应在此前研究的过渡金属硫化物中难以实现。这些自旋-谱位锁定的激子态及其应变可调性为四向对称的变轴磁体提供了一种稳健的机制，用于编码、存储和读取谱位/自旋信息。