扭曲变换磁性中的谷 Valley 极化

变换磁性、扭曲电子学和谷谱的组合对于先进电子器件具有重要意义。已识别扭曲磁性石墨烯双层膜作为实现任意类型变换磁性（如 $d$ 波、$g$ 波和 $i$ 波）的理想平台，通过选择具有特定对称性的单层材料 [arXiv:2404.17146 (2024)]。本文提出了通过施加垂直外部电场实现扭曲变换磁性谷极化的方法。由于垂直电场在不同层之间产生层相关的静电势，谷形成的不同层将错位，从而产生谷极化。我们还使用扭曲紧密堆叠模型演示了我们方法的有效性。发现施加的电场还可诱导谷/自旋无谷半导体和半金属。基于第一性原理计算，我们的实现谷极化的方法可在扭曲双层 VOBr 和单层 $\mathrm{Ca(CoN)_2}$ 中得到验证。这些发现为创新性的自旋电子学、扭曲电子学和谷谱应用提供了新机会。