谷声电效应
介观与纳米尺度物理
2019-06-27 v1
摘要
我们报道了一种新颖的谷声电效应（valley acoustoelectric effect），该效应可出现在位于压电基底上的二维材料（如过渡金属二硫族化物单层）中。此效应的本质在于，由于传播的表面声波而产生拖曳电流（以及自旋流）。该电流由三部分组成：一部分与谷指数无关且正比于声波波矢，另一部分源于电子色散的三角翘曲（trigonal warping），第三部分则归因于 Bloch 电子在晶体中运动时所获得的 Berry 相位。结果，出现了正交于声波波矢的电流分量。此外，我们构建了一个涵盖声电电流非平凡拓扑特性的角分布图，并提出了一种独立运行和测量常规扩散、翘曲及声电谷霍尔电流的方法。我们发展的理论开辟了通过声学方法操控谷输运的途径，扩展了谷电子学效应在声电设备上的适用性。
引用
@article{arxiv.1906.11151,
title = {Valley Acoustoelectric Effect},
author = {A. V. Kalameitsev and V. M. Kovalev and I. G. Savenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.11151},
year = {2019}
}
备注
Main text: 5 pages, 3 figures + Supplemental Material