二维半导体中依赖于能谷的磁阻

我们从理论上证明，具有能谷自由度的二维直接带隙半导体，包括单层过渡金属二硫属化物和带隙双层石墨烯，具有在能谷上为奇且在垂直于系统施加的磁场上为奇的纵向磁电导率贡献。使用量子动理论，我们展示了这种依赖于能谷的磁电导率是如何从 Bloch 电子的动量空间 Berry 曲率、磁场的存在以及无序散射之间的相互作用中产生的。我们讨论了如何在实验上测量该效应并将其用作能谷极化的探测器。