谷对比轨道磁矩诱导的负磁阻
材料科学
2019-07-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
布洛赫电子的谷对比轨道磁矩允许通过面外磁场解除谷简并。我们以一个有能隙的二维多谷模型为例，证明这会导致负磁阻。针对这一负磁阻，我们提出了一种基于磁门控效应导致载流子密度增加的直观物理图像。特别地，当两个谷之一被磁场耗尽后，可实现巨负磁阻。我们认为这一负磁阻新机制与具有小有效质量的离子液体门控有能隙石墨烯相关。
引用
@article{arxiv.1907.04992,
title = {Valley-Contrasting Orbital Magnetic Moment Induced Negative Magnetoresistance},
author = {Hailong Zhou and Cong Xiao and Qian Niu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.04992},
year = {2019}
}