布洛赫电子半经典内散射效应诱导的线性磁电阻
材料科学
2020-03-11 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
由于布洛赫电子动量空间Berry曲率所扮演的独特角色,弱场磁电阻再度引起关注。尽管此前大多数相关研究聚焦于电磁场中半经典布洛赫电子的散射间运动,但由Berry曲率、磁矩和位移矢量增强的半经典动力学的内散射效应对磁电阻的影响在很大程度上被忽视。本文揭示,这些在玻尔兹曼碰撞积分的场无关弛豫时间近似中被忽略的内散射效应,可能与散射间效应同等重要。对二维带隙狄拉克模型的具体计算表明,当考虑磁矩和位移矢量时,仅由Berry曲率给出的负线性磁电阻的符号发生反转。
引用
@article{arxiv.1511.02557,
title = {Linear magnetoresistance induced by intra-scattering semiclassics of Bloch electrons},
author = {Cong Xiao and Hua Chen and Yang Gao and Di Xiao and Allan H. MacDonald and Qian Niu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.02557},
year = {2020}
}
备注
4 pages, 4 figures