由内禀磁化诱导的电子散射各向异性引起的II型磁畴衬度

先前的研究表明，II型磁畴衬度是由相反磁化磁畴背散射产额的差异引起的。当相反磁化畴中的磁化矢量垂直于试样倾斜轴时，由于畴间背散射产额无变化，一直认为对磁畴成像是不可能的。然而，我们发现即使在畴的背散射系数相同的情况下，也有可能观察到II型磁畴衬度。该衬度源于洛伦兹力使电子轨迹偏转所产生的电子散射各向异性。我们利用电子背散射衍射探测器作为电子探测器阵列，在Fe-Si(100)表面上区分出全部四种可能的面内磁化矢量，从而验证了这一点。磁畴间衬度随虚拟电子探测器位置的变化可提供磁化矢量方向的信息。本文还展示了一种抑制叠加在磁畴衬度上的形貌衬度的方法。