二维谷半半导体中符号可逆的谷依赖 Berry 相位效应
介观与纳米尺度物理
2021-10-06 v3
摘要
操控谷依赖的 Berry 相位效应为基础研究和实际应用提供了显著机遇。在此，通过有效模型分析，我们提出了一种实现拓扑磁谷相变的通用方案。更重要的是，以谷半半导体 VSi2N4 为例，我们研究了谷依赖 Berry 相位效应的符号变化，其通过双轴应变、电场和相关效应等外部手段驱动变号谷反常输运特征的改变。结果由此产生了谷反常输运现象的量子化版本。我们的发现不仅揭示了操控谷自由度的通用框架，也激励了谷电子学与自旋电子学中多功能量子器件方向的进一步研究。
引用
@article{arxiv.2106.06379,
title = {Sign-reversible valley-dependent Berry phase effects in 2D valley-half-semiconductors},
author = {Xiaodong Zhou and Run-Wu Zhang and Zeying Zhang and Wanxiang Feng and Yuriy Mokrousov and Yugui Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.06379},
year = {2021}
}