Janus VSiGeN4单层中应变驱动的谷态与相变
介观与纳米尺度物理
2022-08-24 v1
摘要
拓扑与谷自由度之间的相互作用因能实现新现象与新应用而备受关注。在此，基于第一性原理计算，我们展示了单层面谷铁磁材料Janus VSiGeN4中本征的谷极化量子反常霍尔效应，其边缘态具有手性-自旋-谷锁定特性。此外，小的拉伸或压缩应变可驱动该材料从谷极化量子反常霍尔态相变为半谷金属态。随着应变增大，材料转变为具有谷反常霍尔效应的谷铁磁半导体。相变的起源是K谷处V d轨道的连续能带反转。此外，我们发现相变导致贝里曲率符号反转，并诱导不同谷态下不同的偏振光吸收。我们的工作为拓扑、自旋电子学与谷电子学相互作用的实际应用与实验探索提供了理想材料平台。
引用
@article{arxiv.2206.00892,
title = {Strain-driven valley states and phase transitions in Janus VSiGeN4 monolayer},
author = {Pengyu Liu and Siyuan Liu and Minglei Jia and Huabing Yin and Guangbiao Zhang and Fengzhu Ren and Bing Wang and Chang Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.00892},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 6 figures