MoS$_2$中谷耦合拓扑电流的直接观测
介观与纳米尺度物理
2019-04-23 v1
摘要
二维过渡金属硫族化合物中电子的谷自由度已通过理论、光学和光电实验得到广泛研究。然而，在这些材料中尚未实现不依赖光学选择规则的纯谷电流的生成与探测。在此，我们报道了在单层二硫化钼中，可分别通过谷霍尔效应和逆谷霍尔效应电学诱导并探测谷电流。具体而言，在室温下观测到了超过半微米距离的长程谷输运。我们的发现将催生利用谷自由度的新一代电子器件，可用于未来新颖的谷电子学应用。
引用
@article{arxiv.1805.06054,
title = {Direct Observation of Valley Coupled Topological Current in MoS$_2$},
author = {Terry Y. T. Hung and Kerem Y. Camsari and Shengjiao Zhang and Pramey Upadhyaya and Zhihong Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.06054},
year = {2019}
}