MoS2/WSe2异质结构中的室温双极性谷电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2022-09-22 v1 材料科学
光学
量子物理
摘要
二维半导体中的谷自由度是下一代光电子学的一个有前景的平台。不同谷中的电子可具有相反的Berry曲率，从而导致谷霍尔效应（VHE）。然而，无等离激元结构辅助的VHE仅在低温下有报道，限制了其实用性。在此，我们报道了在MoS2/WSe2异质结构中室温VHE的观测。我们还揭示二维异质结构中VHE的大小与极性均可由栅极调控。我们将此归因于不同层中电子与空穴相反的VHE贡献。这些结果表明我们的谷电子晶体管具有双极性输运本质。利用这种栅极可调性，我们展示了一个双极性谷电子晶体管。我们的结果可用于提高谷电子晶体管的开关比，并实现更多功能的谷电子逻辑电路。
引用
@article{arxiv.2102.03756,
title = {Room-temperature bipolar valleytronic transistor in MoS2/WSe2 heterostructures},
author = {Chongyun Jiang and Abdullah Rasmita and Hui Ma and Qinghai Tan and Zumeng Huang and Shen Lai and Sheng Liu and Xue Liu and Qihua Xiong and Wei-bo Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.03756},
year = {2022}
}
备注
34 pages, 16 figures