单层MoSi2N4与MoSi2As4中的谷赝自旋
材料科学
2021-01-27 v1
摘要
长期以来，二维（2D）六方MoS2被提议作为谷电子学系统的有前景材料。然而，MoS2中有限的生长尺寸与低载流子迁移率限制了其进一步应用。最近，一种新型六方2D MXene材料MoSi2N4被成功合成，具有大尺寸、优异的环境稳定性与可观的空穴迁移率。本文中，基于第一性原理计算，我们预言在单层MoSi2N4及其衍生物MoSi2As4中可实现谷对比特性。除传统两能级谷外，单层MoSi2As4中的谷为多折叠的，意味着一种新的谷维度。此类多折叠谷可用三带低次幂哈密顿量描述。本研究展示了单层MoSi2N4与MoSi2As4在谷电子器件特别是多信息处理中的理论进展与潜在应用。
引用
@article{arxiv.2010.10764,
title = {Valley pseudospin in monolayer MoSi2N4 and MoSi2As4},
author = {Chen Yang and Zhigang Song and Xiaotian Sun and Jing Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.10764},
year = {2021}
}