尺寸可调单层半导体量子点中的谷极化
介观与纳米尺度物理
2017-07-21 v1 材料科学
摘要
三维限制使半导体量子点(QDs)展现出尺寸可调的电学和光学性质，促成从显示、太阳能电池、生物医学成像到单电子器件的广泛光电子应用。附加模态如自旋和谷性质可提供量子信息和自旋电子学所需的进一步自由度。然而，当试图将这些材料特征结合到QD结构中时，限制会引起杂化，抑制这些涌现性质在插入量子器件中的鲁棒性。此处，我们展示通过原子薄二维半导体的自上而下纳米图案化可创建新型横向受限材料，单层MoS QDs，使其展现与连续单层片相同的谷极化。半导体兼容纳米加工工艺允许这些低维材料集成到复杂系统中，这是推进量子信息应用的重要特征。继承的体自旋和谷性质、激子能量的尺寸依赖性，以及使用半导体兼容工艺制造MoS QDs的能力，表明单层半导体QDs有潜力成为集成量子信息和自旋电子学系统的多模态构建模块。
引用
@article{arxiv.1510.09135,
title = {Valley Polarization in Size-Tunable Monolayer Semiconductor Quantum Dots},
author = {Guohua Wei and David A. Czaplewski and Erik J. Lenferink and Teodor K. Stanev and Il Woong Jung and Nathaniel P. Stern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.09135},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 4 figures