门控 MoS$_2$ 单层量子点中的谷量子比特
介观与纳米尺度物理
2018-05-24 v4
摘要
本研究旨在设计一种基于 MoS 单层的纳米器件，用于对定义良好的谷量子比特进行操作。我们展示了如何在单层内通过栅极诱导量子点限制一个电子，并就其谷自由度执行 NOT 操作。这些操作完全通过施加于局域栅极的振荡电压对限制势进行调制以电学方式实现。此类量子点结构被真实地建模。通过这些模拟，我们研究了类比自旋量子比特实现方式来达成谷量子比特实现的可能性。我们通过求解广义泊松方程，准确建模了纳米器件内的势，考虑了栅极上的适当边界条件与随空间变化的材料介电常数。系统的时间演化由现实的自洽泊松-薛定谔紧束缚计算所支持。紧束缚计算进一步由有效连续模型内的模拟所证实。
引用
@article{arxiv.1801.09957,
title = {Valley qubit in gated MoS$_2$ monolayer quantum dot},
author = {J. Pawłowski and D. Żebrowski and S. Bednarek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09957},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 12 figures