单层过渡金属硫族化物中门控量子点的自旋-谷量子比特
介观与纳米尺度物理
2021-11-24 v2
摘要
我们发展了单层过渡金属硫族化物中门控量子点内基于电子自旋的量子比特的微观与原子级理论。该量子比特对应于门控量子点中两个简并的锁定自旋与谷态。利用在波矢空间求解的百万级原子紧束缚模型精确描述了两量子比特态。自旋-谷锁定与强自旋轨道耦合导致两个简并态：其中一个量子比特态为自旋向下、位于布里渊区 谷，另一态位于 谷、自旋向上。我们将旋转自旋-谷量子比特所需的量子比特操作描述为所施加垂直电场（在单谷中启用自旋轨道耦合）与横向强局域谷混合门的组合。
引用
@article{arxiv.2106.15090,
title = {Spin-valley qubits in gated quantum dots in a single layer of transition metal dichalcogenides},
author = {Abdulmenaf Altıntaş and Maciej Bieniek and Amintor Dusko and Marek Korkusiński and Jarosław Pawłowski and Paweł Hawrylak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.15090},
year = {2021}
}