单层IV族单硫族化物中的极化与谷切换
材料科学
2016-08-12 v2
摘要
IV族单硫族化物是一类具有正交结构的二维褶皱材料，由极性层构成。在本文中，我们利用第一性原理计算展示了单层SnS和GeSe的多稳态，这两种原型材料的褶皱方向可通过施加拉伸应力或电场进行切换。此外，由褶皱取向决定的动量空间中两个不等价谷，可利用线偏振光选择性激发，这提供了识别极化方向的额外工具。我们的结果表明，SnS和GeSe单层可能具有可观测的铁电性和多稳态，在信息存储中有潜在应用。
引用
@article{arxiv.1603.00450,
title = {Polarization and valley switching in monolayer group-IV monochalcogenides},
author = {Paul Z. Hanakata and Alexandra Carvalho and David K. Campbell and Harold S. Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00450},
year = {2016}
}