SnSe中超快各向异性山 valley 物理
材料科学
2025-12-18 v1
摘要
山 valley 物理旨在以特定的山谷为单位控制电子，以实现量子信息的操控。由于其强大的面内各向异性，这种各向异性使其能够实现对不同非洪能谷的偏振控制光学跃迁，组 IV 单硫化物最近被提议作为下一代山 valley 材料的有前景的候选材料。然而，在这些系统中 following 光学制备山谷极化态后的超快非平衡动力学完全未被探索。结合时-角分辨极端紫外线光电子谱与时依赖玻尔兹曼方程仿真，我们研究了在 SnSe 中进行偏振控制光激发后出现的超快山谷极化动力学。我们表明，对全球能量最小值的山谷进行选择性激发可实现接近100%且时不变的山谷极化。相比之下，对另一山谷通道的光激发导致亚皮秒尺度上的山谷极化快速衰减和反转，这是由于由强电子-声子耦合介导的间谷散射所致，该散射涉及一种光学声子模式。我们的发现揭示了在大多数常见二维山 valley 材料中与截然不同的强各向异性和根本性的非平衡山谷物理。
引用
@article{arxiv.2512.15400,
title = {Ultrafast Strongly Anisotropic Valleytronics in SnSe},
author = {Yiming Pan and Sotirios Fragkos and Dominique Descamps and Stéphane Petit and Fabio Caruso and Samuel Beaulieu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.15400},
year = {2025}
}