速度势垒对单层MoS$_{2}$量子结构中大质量狄拉克电子输运的影响
介观与纳米尺度物理
2020-03-10 v1
摘要
利用转移矩阵法，研究了在正态/铁磁/正态单层MoS量子结构中由速度势垒调制的自旋与谷依赖的电子输运性质。基于光学中的斯涅尔定律，我们通过改变中间铁磁区的费米速度定义速度势垒为，以在该结构的电子输运过程中获得偏转条件。结果表明，自旋与谷依赖的电子极化的幅度和方向均可由速度势垒调控。当时可实现的自旋与谷依赖电子极化，而当时可获得极化。此外，确定完美的自旋与谷输运总是发生在大入射角处。另外，自旋与谷依赖的电子输运在很大程度上依赖于中间铁磁区的长度和栅电压。这些发现为设计新型自旋与谷电子器件提供了有效方法。
引用
@article{arxiv.2003.03718,
title = {Influence of the velocity barrier on the massive Dirac electron transport in a monolayer MoS$_{2}$ quantum structure},
author = {X. -J. Hao and R. -Y. Yuan and J. -J. Jin and Y. Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.03718},
year = {2020}
}