通过栅极驱动有机离子插层在二硫化钼中诱导的异常金属相

过渡金属二硫属化物展现出以超导与电荷密度波相互作用为主导的丰富相图，这常导致电输运性质中的反常现象。在此，我们采用离子栅极技术，在块体单晶二硫化钼 (MoS$_{2}$) 中实现可调、非易失的有机离子插层。我们证明这种栅极驱动的有机离子插层在不改变原始 $2H$ 晶体对称性的情况下对体系产生强电子掺杂，并触发了再入型绝缘体-金属转变的出现。我们表明，栅极诱导的金属态在电阻率温度依赖关系中表现出明显的反常，可自然地解释为先前在碱金属插层 MoS$_{2}$ 中观察到的电荷密度波相发展的迹象。观察到反常现象的相对较高温度 ($\sim$$150$ K)，加上直至 $\sim$$3$ K 都无任何掺杂诱导超导的迹象，表明这两个相可能相互竞争以决定电子掺杂 MoS$_2$ 的电子基态。