电子掺杂二硫属化物的相图
材料科学
2014-12-10 v2 超导电性
摘要
利用第一性原理计算，我们研究了电子掺杂二硫属化物（如近期在场效应门控 MoS中实现的体系）中的相序列。随着电子掺杂浓度的增加，我们观察到半导体、金属、超导和电荷密度波态的相继出现，其顺序与 TiSe等（半）金属二硫属化物的相图不同。这两种不稳定性均追溯至耦合电子填充导带底的声子软化。利用 Eliashberg 理论计算的超导穹顶与通过电阻率测量获得的实验观测相图吻合。基于声子模式不稳定性预测的较高电子掺杂浓度下的电荷密度波相，进一步通过基于密度泛函的超胞弛豫检测到伴随的晶格变形而得到证实。在形成电荷密度波后，掺杂的 MoS保持金属性，但经历了费米口袋数量减少的 Lifschitz 转变。
引用
@article{arxiv.1404.4295,
title = {Phase Diagram of Electron Doped Dichalcogenides},
author = {M. Rösner and S. Haas and T. O. Wehling},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.4295},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures