单层 InSe 中的电荷密度波与超导相
材料科学
2021-01-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文中，通过对空穴与电子掺杂体系的第一性原理计算，确定了单层硒化铟中可能的超导相的完整研究。空穴掺杂的费米面依赖对单层 InSe 而言是独有的基础性特征。它通过增加空穴密度使费米面从六个分离口袋广泛修正为两个口袋。对于系统的低空穴掺杂水平，在 Lifshitz 转变点以下，在各向异性 Eliashberg 理论中根据库仑势从 0.2 到 0.1 的不同取值获得了超导临界温度 K。然而，对于 Lifshitz 转变点以上的某些空穴掺杂，裸磁化率的温度依赖性与强电子-声子相互作用的共同作用产生了在远高于相应 的温度下出现的电荷密度波。在纳入非绝热效应后，我们可仔细分析系统中出现超导相或电荷密度波相的条件。此外，通过在不同载流子浓度下纳入非绝热效应，单层 InSe 在室温下变为动力学稳定。
引用
@article{arxiv.2007.00818,
title = {Charge density wave and superconducting phase in monolayer InSe},
author = {Mohammad Alidoosti and Davoud Nasr Esfahani and Reza Asgari},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.00818},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 9 figures, To appear in Phys. Rev. B