高迁移率二维反铁磁性金属 GdTe$_3$ 的电子结构
材料科学
2020-10-28 v1
摘要
新发现的二维反铁磁性 GdTe 因其在所有已知层状磁性材料中具有最高的载流子迁移率，以及在新型磁性扭转电子学和自旋电子器件方面的潜在应用而引人关注。在此，我们利用高分辨率角分辨光电子能谱研究了其费米面拓扑和低能电子能带结构。费米面在转变温度以下被电荷密度波部分能隙化，残余部分发生重构使 GdTe 呈现金属性。高载流子迁移率可归因于费米能级附近尖锐且近线性的能带色散。我们发现费米能级附近线性能带的散射率在宽能量范围内几乎呈线性，表明 GdTe 是一种非费米液体金属。本文的结果为了解这种层状范德瓦耳斯反铁磁材料提供了基础认识，以指导未来的相关研究。
引用
@article{arxiv.2010.14020,
title = {Electronic structure of the high-mobility two-dimensional antiferromagnetic metal GdTe$_3$},
author = {J. S. Liu and S. C. Huan and Z. H. Liu and W. L. Liu and Z. T. Liu and X. L. Lu and Z. Huang and Z. C. Jiang and X. Wang and N. Yu and Z. Q. Zou and Y. F. Guo and D. W. Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.14020},
year = {2020}
}