范德瓦耳斯层状反铁磁金属中的高迁移率
材料科学
2020-04-22 v2
摘要
磁性范德瓦耳斯（vdW）材料因基础物理研究及器件设计而受到大量关注。尽管进展迅速，迄今为止磁性 vdW 材料主要为绝缘体或半导体，且无一具备高电子迁移率——这一性质在层状 vdW 材料中总体上十分罕见。实现一种磁性高迁移率 vdW 材料将为新型磁性扭转电子学或自旋电子学器件开辟可能。在此我们报道层状 vdW 反铁磁体 GdTe3 中极高的载流子迁移率。电子迁移率超过 60,000 cm2 V-1 s-1，据我们所知这是所有已知层状磁性材料中最高的。在所有已知 vdW 材料中，块体 GdTe3 的迁移率与黑磷相当，且仅次于石墨。通过机械剥离，我们进一步证明 GdTe3 可被剥离至三个单层的超薄薄片，并且在约 20 nm 厚的薄片中保留了磁有序与相对较高的迁移率。
引用
@article{arxiv.1903.03111,
title = {High mobility in a van der Waals layered antiferromagnetic metal},
author = {Shiming Lei and Jingjing Lin and Yanyu Jia and Mason Gray and Andreas Topp and Gelareh Farahi and Sebastian Klemenz and Tong Gao and Fanny Rodolakis and Jessica L. McChesney and Christian R. Ast and Ali Yazdani and Kenneth S. Burch and Sanfeng Wu and N. Phuan Ong and Leslie M. Schoop},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.03111},
year = {2020}
}