室温以上 van der Waals 铁磁体 Fe$_3$GaTe$_2$ 的电子结构

Ji-Eun Lee; Shaohua Yan; Sehoon Oh; Jinwoong Hwang; Jonathan D. Denlinger; Choongyu Hwang; Hechang Lei; Sung-Kwan Mo; Se Young Park; Hyejin Ryu

doi:10.1021/acs.nanolett.3c03203

室温以上 van der Waals 铁磁体 Fe$_3$GaTe$_2$ 的电子结构

材料科学 2024-03-18 v1

作者: Ji-Eun Lee , Shaohua Yan , Sehoon Oh , Jinwoong Hwang , Jonathan D. Denlinger , Choongyu Hwang , Hechang Lei , Sung-Kwan Mo , Se Young Park , Hyejin Ryu

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摘要

Fe $_3$ GaTe $_2$ 是一种近期发现的van der Waals 铁磁体，表现出室温以上固有铁磁性，因而需要系统调查其高临庄温度 ( $\textit{T}$ $_C$ ) 的微观起源。本研究采用角分辨光电子能谱和密度泛函理论计算，揭示了Fe $_3$ GaTe $_2$ 在铁磁基态下的电子结构。我们的结果在测量带结构与理论计算之间建立了一致对应，凸显Heisenberg交换相互作用 ( $\textit{J}$ $_{ex}$ ) 和磁各向异性能对Fe $_3$ GaTe $_2$ 高- $\textit{T}$ $_C$ 铁磁有序发展的重要贡献。令人惊讶的是，我们通过掺杂观察到这些关键驱动因素发生显著变化，我们将其归因于Fermi 能级附近多个自旋分裂带的改变。这些发现为阐明Fe $_3$ GaTe $_2$ 的电子结构及其与高- $\textit{T}$ $_C$ 铁磁有序的关联提供了宝贵见解。

关键词

电子结构 van der Waals 铁磁体 Fe$_3$GaTe$_2$ 角分辨光电子能谱磁各向异性

引用

@article{arxiv.2403.09846,
  title  = {Electronic structure of above-room-temperature van der Waals ferromagnet Fe$_3$GaTe$_2$},
  author = {Ji-Eun Lee and Shaohua Yan and Sehoon Oh and Jinwoong Hwang and Jonathan D. Denlinger and Choongyu Hwang and Hechang Lei and Sung-Kwan Mo and Se Young Park and Hyejin Ryu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2403.09846},
  year   = {2024}
}

备注

25 pages, 4 figures

室温以上 van der Waals 铁磁体 Fe$_3$GaTe$_2$ 的电子结构

摘要

关键词

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