利用电荷密度波进行狄拉克半金属的能带工程
材料科学
2021-06-23 v3 强关联电子
摘要
拓扑物质领域的新进展常由材料发现驱动，包括新型拓扑绝缘体、狄拉克半金属和外尔半金属。过去几年中，为对所有已知无机材料的拓扑性进行分类作出了大量努力。遗憾的是，大量拓扑材料受非理想能带结构所苦。例如，拓扑能带常与平庸能带纠缠，且感兴趣的能带特征可能远在费米能级之下。这导致仅有少数材料被深入研究。寻找设计新拓扑材料的策略是一种解决方案。本文我们引入一种基于电荷密度波与非对称对称性的新机制来设计理想狄拉克半金属。接着我们实验表明，反铁磁化合物 GdSbTe 基于所提机制是一种近乎理想的狄拉克半金属，意味着费米能级处大多数干扰能带被抑制。其高度不寻常的输运行为指向一个迄今未知的 regime，其中费米能极接近节点的狄拉克载流子在晶格与磁无序存在下似乎逐渐局域化。
引用
@article{arxiv.2009.00620,
title = {Band Engineering of Dirac Semimetals using Charge Density Waves},
author = {Shiming Lei and Samuel M. L. Teicher and Andreas Topp and Kehan Cai and Jingjing Lin and Fanny Rodolakis and Jessica L. McChesney and Maxim Krivenkov and Dmitry Marchenko and Andrei Varykhalov and Christian R. Ast and Roberto Car and Jennifer Cano and Maia G. Vergniory and N. Phuan Ong and Leslie M. Schoop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.00620},
year = {2021}
}