MoTe2：一种具有极大磁电阻的非补偿半金属

过渡金属二硫族化合物（WTe2和MoTe2）近期引起了广泛关注，因为除了被预测可能为第二类外尔半金属外，在这些化合物中还观察到了非饱和的极大磁电阻（XMR）。与拓扑绝缘体或狄拉克半金属中XMR与磁场呈线性依赖关系不同，在WTe2和MoTe2中XMR与磁场呈非线性依赖关系，这表明其机制完全不同。电子-空穴补偿已被提出作为WTe2中这种非饱和XMR的机制，而对于在低温下具有与WTe2相同晶体结构的MoTe2，其机制尚不清楚。本文中，我们利用角分辨光电子能谱（ARPES）技术和第一性原理计算，报告了MoTe2的低能电子结构和费米面拓扑，并将其与WTe2进行比较，以理解XMR的机制。我们的测量结果表明，MoTe2是一种非补偿半金属，这与已识别出补偿电子-空穴口袋的WTe2相反，从而排除了电荷补偿理论对MoTe2中非饱和XMR的适用性。在此背景下，我们还讨论了关于这些化合物XMR的其他现有猜想的适用性。