薄层WTe2中电荷补偿诱导大磁电阻的直接证据
介观与纳米尺度物理
2019-07-24 v1
摘要
自WTe2中极大型非饱和磁电阻（MR）被发现以来，人们投入大量努力理解其潜在机制，但该机制仍存争议。此处，我们通过对薄层WTe2薄膜磁输运性质的原位调控，明确确定了大型非饱和MR的主导物理起源。利用静电掺杂方法，我们观察到MR的非单调栅压依赖关系。在电子与空穴浓度平衡的某一栅压下，薄层WTe2薄膜的MR达到最大值（10600%），表明电荷补偿是所观测大型MR的主导机制。此外，我们展示在保持电荷补偿时，温度依赖的磁电阻与载流子迁移率呈现相似趋势，揭示磁输运性质温度依赖背后可能存在不同的散射机制。我们的工作有助于理解其他非磁性材料中大型MR的机制，并为在非磁性且具有电子-空穴袋的材料中实现大型MR提供途径。
引用
@article{arxiv.1905.05364,
title = {Direct evidence for charge compensation induced large magnetoresistance in thin WTe2},
author = {Yaojia Wang and Lizheng Wang and Xiaowei Liu and Heng Wu and Pengfei Wang and Dayu Yan and Bin Cheng and Youguo Shi and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Shi-Jun Liang and Feng Miao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05364},
year = {2019}
}
备注
16 pages, 3 figures, accepted by Nano Letters