超薄WTe2器件的栅极可调磁电阻
材料科学
2017-03-14 v1
摘要
本工作中，测量了远离电子-空穴平衡的超薄WTe2/BN异质结构的磁电阻(MR)。发现此类器件的MR变化很大程度上由单一可调参数决定，即电子与空穴之间的不平衡量。我们还发现，超薄WTe2器件的磁电阻行为可由两流体模型很好地描述。根据该模型，如果超薄样品在保持体样品中观察到的167,000 cm2V-1s-1迁移率的同时被调至中性，则MR的变化可高达400,000%，这是已知所有材料中最大的潜在MR变化。我们的发现展示了超薄WTe2作为可变磁电阻材料在未来应用（如磁场传感器、信息存储与提取器件以及电流隔离器）中的前景。结果还为超薄WTe2样品中的电子结构及大MR起源提供了重要见解。
引用
@article{arxiv.1702.05876,
title = {Gate Tunable Magneto-resistance of Ultra-Thin WTe2 Devices},
author = {Xin Liu and Zhiran Zhang and Chaoyi Cai and Shibing Tian and Satya Kushwaha and Hong Lu and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Robert J. Cava and Shuang Jia and Jian-Hao Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05876},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 6 figures and Supporting Information appended