超薄MgO隧道势垒磁隧道结的电流致电阻变化
材料科学
2008-08-27 v1
摘要
制备了具有低电阻MgO隧道势垒的超薄磁隧道结，以研究其在大电流应力下的稳定性。这些器件显示出高达110%的磁电阻比和低至4.4欧姆·微米平方的面积电阻乘积。当施加较大电流时，观察到可逆的电阻变化，这可归因于应力过程中的两个不同过程以及之后的一个弛豫过程。在此，我们分析了电阻的时间依赖性，并使用一个简单模型来解释所观察到的行为。通过对数据进行数值拟合以量化所涉及现象的时间尺度，进一步支持了这一解释。
引用
@article{arxiv.0807.4422,
title = {Current induced resistance change of magnetic tunnel junctions with ultra-thin MgO tunnel barriers},
author = {Patryk Krzysteczko and Xinli Kou and Karsten Rott and Andy Thomas and Günter Reiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.4422},
year = {2008}
}