MgO 基磁性隧道结中电介质击穿产生的结构变化的直接成像
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
制备了 MgO 基磁性隧道结以研究隧道势垒的电介质击穿。通过透射电子显微镜测量直接观察到了击穿现象。用于显微镜测量的破损隧道结是通过聚焦离子束从经过输运研究表征的结中制备的。因此，获得了完整结与破损结的输运行为与结构的直接比较。与之前在基于氧化铝的结中的发现相比，MgO 势垒在击穿后显示出更多的微观针孔。这可以通过一个简单的模型来解释，该模型假设击穿处的电流密度与针孔形成率之间存在关系。
引用
@article{arxiv.0806.2028,
title = {Direct imaging of the structural change generated by dielectric breakdown in MgO based magnetic tunnel junctions},
author = {A. Thomas and V. Drewello and M. Schaefers and A. Weddemann and G. Reiss and G. Eilers and M. Muenzenberg and K. Thiel and M. Seibt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.2028},
year = {2009}
}