用于自旋转移矩翻转的超薄MgO隧道结中的电击穿
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
制备了用于自旋转移矩翻转的磁性隧道结，以研究其介电击穿。击穿通常发生在略高于翻转电压的电压下，这是实现自旋转移矩磁随机存取存储器的一个瓶颈。通过输运测量对完好和击穿的隧道结进行表征，然后通过聚焦离子束制备用于透射电子显微镜和能量色散X射线能谱分析的样品。与我们先前针对较厚MgO隧道结的电击穿模型进行比较，揭示了由高电流密度引起的显著差异。
引用
@article{arxiv.0907.3579,
title = {Electric breakdown in ultra-thin MgO tunnel barrier junctions for spin-transfer torque switching},
author = {M. Schäfers and V. Drewello and G. Reiss and A. Thomas and K. Thiel and G. Eilers and M. Münzenberg and H. Schuhmann and M. Seibt},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.3579},
year = {2015}
}