磁性隧道结特性的改性
材料科学
2012-10-19 v1
摘要
我们研究了 Fe/MgO/Fe 磁性隧道结（MTJ）的电物理特性。样品结构是在相对低真空（~10^-4 Torr）条件下，通过电子束蒸发在玻璃陶瓷基板上制备的。第一磁性层制备条件对 MTJ 退化的影响被归因于层间扩散。讨论了多晶基板上 MTJ 中电物理过程的各种模型。发现所制备结构的电流 - 电压（I-V）特性表现出负微分电阻区域，类似于隧道二极管中的现象。我们将此现象解释为由杂质改性的 MgO 层中激子的形成所致。所得结果将有助于开发包含 MTJ 和隧道二极管的 MRAM 器件。
引用
@article{arxiv.1210.5096,
title = {Modification of the magnetic tunnel junction properties},
author = {A. Filatov and A. Pogorelov and Ye. Pogoryelov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5096},
year = {2012}
}
备注
14 pages, 4 figures