Fe3O4/MgO/Fe纳米结构中的隧穿磁电阻

S. G. Chigarev; E. M. Epshtein; I. V. Malikov; G. M. Mikhailov; P. E. Zilberman

Fe3O4/MgO/Fe纳米结构中的隧穿磁电阻

材料科学 2010-12-21 v1

作者: S. G. Chigarev , E. M. Epshtein , I. V. Malikov , G. M. Mikhailov , P. E. Zilberman

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摘要

考虑了一个具有(001)层取向的Fe3O4/MgO/Fe磁性隧道结。分析了在不同磁场下，结的磁能随层磁化矢量夹角的变化关系。计算了隧穿磁电阻随外磁场的变化。与具有单轴各向异性的结相比，该结的翻转所需磁场显著降低。

关键词

隧穿磁电阻磁性隧道结 Fe3O4/MgO/Fe 磁能翻转场

引用

@article{arxiv.1012.4089,
  title  = {Tunnel magnetoresistance of Fe3O4/MgO/Fe nanostructures},
  author = {S. G. Chigarev and E. M. Epshtein and I. V. Malikov and G. M. Mikhailov and P. E. Zilberman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1012.4089},
  year   = {2010}
}

备注

7 pages, 3 figures

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