低电压下的铁磁隧道结：弹性与无弹性散射在 $T=0 K$ 条件下的比较

C. A. Dartora; G. G. Cabrera

doi:10.1063/1.1703825

低电压下的铁磁隧道结：弹性与无弹性散射在 $T=0 K$ 条件下的比较

介观与纳米尺度物理 2009-11-10 v1

作者: C. A. Dartora , G. G. Cabrera

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

本文分析了磁性隧道结在低电压下的不同贡献。电阻随电压下降的一个重要部分可归因于密度状态和隧穿透系数随偏置电压的变化。然而，我们发现零偏置处的异常以及在极小电压下的磁阻行为指向无弹性磁矢模式隧穿的贡献。后者由传递参数 $T^{J}$ 描述，其值比弹性电流的直接传递 $T^{d}$ 小一个或两个数量级。我们的理论与实验数据高度吻合，给出的 $T^{J}$ 估计值显示 $T^{d}$ / $T^{J}$ ~ 40。

关键词

铁磁隧道结磁阻无弹性散射磁矢模式隧穿低电压

引用

@article{arxiv.cond-mat/0312608,
  title  = {Ferromagnetic tunneling junctions at low voltages: elastic versus inelastic scattering at $T=0 K$},
  author = {C. A. Dartora and G. G. Cabrera},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312608},
  year   = {2009}
}

备注

13 pages, 4 figures (in postscript format). PACS numbers: 72.25.-b, 73.23.-b, 72.10.Di

低电压下的铁磁隧道结：弹性与无弹性散射在 $T=0 K$ 条件下的比较

摘要

关键词

引用

备注

相关论文