磁性隧道结的低电压 I-V 特性
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们指出，考虑隧穿透性随电压变化以及 带中多数自旋态密度与少数自旋态密度之比较大后的弹性电流，可解释磁氧化物-磁性隧道结中低电压电流异常现象。这些异常现象可为正、负或混合形式，取决于费米能级在 带中的位置，与观测结果一致。磁性贡献对解释随电压偏置而降低的磁阻的尖锐下降贡献极小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106123,
title = {Low Voltage I-V Characteristics in Magnetic Tunnel Junctions},
author = {G. G. Cabrera and N. Garcia},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106123},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 3 postscript figures