用于有源矩阵液晶显示器的多晶硅 TFT 漏电流减小技术：综合研究
介观与纳米尺度物理
2010-08-17 v1
摘要
本文批判性地考察了用于提升有源矩阵液晶显示器中 poly-Si TFT 性能的漏电流减小技术。这是文献中关于该主题的首项综合研究。本综述评估了规避 poly-Si TFT 中漏电流问题的重要提案，并对每种方法特有的优缺点进行了简短评估。此外，还讨论了一种称为三栅 poly-Si TFT (TG-TFT) 的新器件结构。该器件运行的关键思想是，使沟道中的主导导电机制受栅极引起的积累电荷密度调制 (ACMG) 控制，而非受栅致晶粒势垒降低 (GIGBL) 控制。利用二维双载流子器件模拟，证明了与常规 poly-Si TFT 相比，TG-TFT 表现出显著减弱的伪亚阈导电，从而导致 OFF 态漏电流降低了数个数量级。解释了性能提升的原因。
引用
@article{arxiv.1008.2429,
title = {Leakage Current Reduction Techniques in Poly-Si TFTs for Active Matrix Liquid Crystal Displays:A Comprehensive Study},
author = {Ali A. Orouji and M. Jagadesh Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.2429},
year = {2010}
}
备注
Journal paper