具有两步刻蚀端面光泵浦 AlGaN/GaN 激光器的激射阈值降低
光学
2022-06-15 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
应用物理
摘要
我们报道了一种两步工艺，用于在专为制备发射波长为 355 nm 紫外激光器而设计的 AlGaN/GaN 分别限制异质结构中获得光滑且垂直的 {10-10} m 面端面。该工艺包括采用 KOH 基溶液的 RIE-ICP 干法刻蚀与晶体选择性湿法刻蚀相结合。AlGaN 结构不同晶面间湿法刻蚀速率的各向异性，使得能够制备平坦且平行的端面而不降解多层结构。与使用机械解理制备的腔相比，采用两步工艺定义腔的激光器光学性能显示出重大改进，其在光泵浦下的激射阈值降低至几乎一半。
引用
@article{arxiv.2203.16184,
title = {Reduction of the lasing threshold in optically pumped AlGaN/GaN lasers with two-step etched facets},
author = {Sergi Cuesta and Lou Denaix and Florian Castioni and Le Si Dang and Eva Monroy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.16184},
year = {2022}
}
备注
20 pages, 5 figures