以 AlN 为刻蚀停止层的 AlGaN/GaN 结构氧基数字刻蚀
应用物理
2019-08-02 v1 材料科学
摘要
研究了在 GaN 上带有 0.8 nm AlN 间隔层的 Al0.25Ga0.75N 的基于 O2 等离子体的数字刻蚀。在 40 W RF 偏置功率和 40 sccm 氧气流量下，Al0.25Ga0.75N 的刻蚀深度为每周期 5.7 nm。0.8 nm AlN 间隔层在 3 个周期内充当刻蚀停止层。经过 7 次数字刻蚀循环后，表面粗糙度改善至 0.33 nm。与仅干法刻蚀方法相比，该技术造成的损伤更小。结果表明，它能有效精确控制凹栅 AlGaN HEMT 所需的 AlGaN 刻蚀深度。
引用
@article{arxiv.1908.00124,
title = {Oxygen-based digital etching of AlGaN/GaN structures with AlN as etch-stop layers},
author = {Jingyi Wu and Siqi Lei and Wei-Chih Cheng and Robert Sokolovskij and Qing Wang and Guangrui and Xia and Hongyu Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.00124},
year = {2019}
}