利用 SF$_6$ 等离子体与 Al(CH$_3$)$_3$ 对氮化铝进行各向同性等离子体热原子层刻蚀
介观与纳米尺度物理
2022-11-09 v2
摘要
我们报道了使用 SF 等离子体和乙基铝（Al(CH)，TMA）依次暴露对氮化铝进行各向同性等离子体原子层刻蚀（ALE）。在高于 200 C 的温度下观察到 ALE，通过非原位椭偏仪测量在 300 C 观察到最大刻蚀速率 1.9 \r{A}/cycle。ALE 后，刻蚀表面相较原始表面氧浓度更低，且表面粗糙度降低约 35%。这些发现与 AlN 在非线性光子学与宽禁带半导体器件中的应用相关。
引用
@article{arxiv.2209.00150,
title = {Isotropic plasma-thermal atomic layer etching of aluminum nitride using SF$_6$ plasma and Al(CH$_3$)$_3$},
author = {Haozhe Wang and Azmain Hossain and David Catherall and Austin J. Minnich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.00150},
year = {2022}
}