具有低热阻的 AlN 上厚附着金刚石薄膜
应用物理
2019-07-05 v1 材料科学
摘要
本文展示了在氮化铝上生长附着性良好的 >100 μm 厚金刚石层。未处理的 AlN 薄膜上的厚膜未能附着，而经氢/氮等离子体处理的 AlN 薄膜保留了厚金刚石层。zeta 电位测量的明显差异证实了氢/氮等离子体处理引起的表面改性。面 Raman 图谱显示，在预处理 AlN 上生长的金刚石初始层中非金刚石碳增加。非金刚石碳的存在对金刚石与 AlN 之间的界面影响极小。用 x 射线光电子能谱（XPS）研究的表面显示预处理与未处理样品之间存在明显区别。表面铝在预处理后从富氮环境变为富氧环境。截面透射电子显微镜显示出金刚石与 AlN 之间干净的界面。发现金刚石与 AlN 之间的热阻在 16 m^2K/GW 范围内，这相对于当前最先进水平是一个很大的改进。
引用
@article{arxiv.1907.02481,
title = {Thick adherent diamond films on AlN with low thermal barrier resistance},
author = {Soumen Mandal and Jerome Cuenca and Fabien Massabuau and Chao Yuan and Henry Bland and James W. Pomeroy and David Wallis and Tim Batten and David Morgan and Rachel Oliver and Martin Kuball and Oliver A. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.02481},
year = {2019}
}