氩等离子体刻蚀拓扑绝缘体材料的AFM和拉曼研究
材料科学
2012-09-20 v2
摘要
等离子体刻蚀是纳米器件制造中的重要工具。我们报告了对拓扑绝缘体材料Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3和Bi2Te2Se进行氩等离子体刻蚀的研究，使用了从块状晶体剥离的薄片（起始厚度约100 nm）。我们主要呈现来自原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱的数据。通过AFM测量，观察到等离子体暴露使样品厚度减小，表面粗糙度增加（高度波动可达约20 nm）。我们提取了每种材料的刻蚀速率。等离子体暴露还导致特征拉曼峰展宽（尤其是Eg2模式），峰位无明显变化。总体拉曼强度先增加，然后在样品被刻蚀至约20 nm以下后急剧下降。我们的发现对于理解氩等离子体刻蚀对拓扑绝缘体材料的影响具有重要价值。
引用
@article{arxiv.1209.2919,
title = {AFM and Raman studies of topological insulator materials subject to argon plasma etching},
author = {Isaac Childres and Jifa Tian and Ireneusz Miotkowski and Yong Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2919},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 9 figures