通过结合微观与光谱分析优化石墨烯干法刻蚀条件
材料科学
2013-05-21 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
单层石墨烯结构和器件通常使用反应离子刻蚀和等离子体刻蚀来定义，其中 O2 或 Ar 作为气态刻蚀剂。虽然光学显微镜和拉曼光谱 (Raman spectroscopy) 被广泛用于确定干法刻蚀的适当持续时间，但原子力显微镜 (AFM) 的额外表征显示，在上述方法表明石墨烯已完全刻蚀之后，残留的石墨烯和/或刻蚀副产物仍然存在。认识到不完全刻蚀可能对器件和/或后续加工产生有害影响，本文利用 AFM 表征来确定消除石墨烯干法刻蚀残留物的最佳刻蚀条件。
引用
@article{arxiv.1305.4428,
title = {Optimization of graphene dry etching conditions via combined microscopic and spectroscopic analysis},
author = {Mariana C. Prado and Deep Jariwala and Tobin J. Marks and Mark C. Hersam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.4428},
year = {2013}
}
备注
manuscript+supporting information