纤锌矿 GaN/InGaN 激光器结构中极化场的自由载流子屏蔽
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
通过自洽紧束缚方法，研究了纤锌矿 GaN/InGaN 量子阱激光器中宏观极化场的自由载流子屏蔽。我们表明，在氮化物激光器结构中实验发现的高载流子浓度有效地屏蔽了内建的自发极化和压电极化场，从而诱导出“无场”能带分布。我们的结果解释了氮化物激光器中一些迄今令人困惑的实验数据，例如异常高的激光激发阈值以及随激发水平增加而出现的发射蓝移。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9809409,
title = {Free-carrier screening of polarization fields in wurtzite GaN/InGaN laser structures},
author = {F. Della Sala and A. Di Carlo and P. Lugli and F. Bernardini and V. Fiorentini and R. Scholz and J. -M. Jancu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9809409},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 4 pages, 4 figures