原子级锐利金属-半导体纳米结处的等离激元驱动热电子转移
应用物理
2020-07-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
近年来在纳米尺度上引导和局域化光的进展揭示了超小等离激元器件的巨大潜力。在此背景下，表面等离激元衰变为热载流子，在提升能量收集、光催化和光电探测效率方面引发多种应用。然而，对等离激元热载流子产生尤其是金属-半导体界面处转移的详细理解仍不清楚。在本文中，我们引入一种单片金属-半导体（Al-Ge）异质结构器件，提供了一个在原子级锐利肖特基纳米结处研究表面等离激元衰变和热电子转移的平台。该栅控金属-半导体异质结器件具有对 Al-Ge 界面处肖特基势垒高度的静电控制能力，可实现热电子滤波。通过控制 Ge 中的带间电子转移从而产生负微分电阻，展示了动量匹配能力以及控制等离激元驱动热电子注入能量分布的能力。
引用
@article{arxiv.2006.08385,
title = {Plasmon-Driven Hot Electron Transfer at Atomically Sharp Metal-Semiconductor Nanojunctions},
author = {Masiar Sistani and Maximilian G. Bartmann and Nicholas A. Güsken and Rupert F. Oulton and Hamid Keshmiri and Minh Anh Luong and Zahra Sadre-Momtaz and Martien I. den Hertog and Alois Lugstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.08385},
year = {2020}
}