等离激元热载流子提取：电子发射机制
化学物理
2017-11-21 v1
摘要
当等离激元纳米颗粒与半导体耦合时，可从金属-半导体界面提取高能热载流子，用于光能量转换的多种应用。利用该界面在等离激元衰减后提取热电荷载流子，被认为发生于形成具有均匀动量分布的中间电子群体之后。因此，在某些等离激元诱导应用中，电荷分离过程的效率被认为受限于此种空间均匀性。本文利用可见泵浦、近红外探测瞬态吸收光谱证明，金属与半导体接触面积的增加导致热电子注入量子产率提高，这与热电子均匀的能量-动量分布不符。相反，对实验数据的进一步分析表明，高能电子是通过表面电荷发射机制跨越界面发射的，该机制经由等离激元激发发生。
引用
@article{arxiv.1711.07095,
title = {Plasmonic Hot-Carrier Extraction: Mechanisms of Electron Emission},
author = {Charlene Ng and Peng Zeng and Julian A. Lloyd and Debadi Chakraborty and Ann Roberts and Trevor A. Smith and Udo Bach and John E. Sader and Timothy J. Davis and Daniel E. Gómez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07095},
year = {2017}
}