(Ga,Mn)As中Mn的前边XANES结构
介观与纳米尺度物理
2010-03-24 v1
摘要
使用全势线性化缀加平面波(FLAPW)方法，包括芯空穴效应，模拟了(Ga,Mn)As磁性半导体中Mn K边的X射线吸收近边结构(XANES)。计算在超胞方案中进行，针对替代位和两个四面体间隙Mn位。得到的前边吸收结构显示，替代位和间隙Mn缺陷的模拟光谱之间存在明显区别，这主要由第二近邻配体决定。替代位Mn杂质获得单一特征，而两种间隙缺陷都出现两个峰。提出了前边特征的解释。
引用
@article{arxiv.1003.4390,
title = {Pre-edge XANES structure of Mn in (Ga,Mn)As},
author = {N. A. Goncharuk and J. Kucera and L. Smrcka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.4390},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 4 figures