Ga1-xMnxN中Mn的团簇化

D. Wang; X. Y. Zhang; J. Wang; S. Q. Wei; W. S. Yan; D. W. Boukhvalov

doi:10.1016/j.ssc.2009.05.020

Ga1-xMnxN中Mn的团簇化

材料科学 2015-05-13 v1

作者: D. Wang , X. Y. Zhang , J. Wang , S. Q. Wei , W. S. Yan , D. W. Boukhvalov

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摘要

通过Mn L3边X射线吸收谱(XAS)在总电子产额模式下研究了Ga1-xMnxN中Mn原子的局域结构，该模式优先观察表面附近的原子。对于较高Mn掺杂浓度，发现了一种缺陷构型建模，即Mn5微团簇与替位MnGa和间隙MnI复合。这种新构型也通过总能计算得到确认。

关键词

Ga1-xMnxN Mn掺杂局域结构 X射线吸收谱 Mn团簇缺陷构型

引用

@article{arxiv.0905.4158,
  title  = {Mn clusterisation in Ga1-xMnxN},
  author = {D. Wang and X. Y. Zhang and J. Wang and S. Q. Wei and W. S. Yan and D. W. Boukhvalov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0905.4158},
  year   = {2015}
}

备注

17 pages, 5 figures, to be published in Solid. State Commun

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