中文

磁性半导体中的本征空穴局域化机制

材料科学 2009-11-10 v2

摘要

我们研究了原型磁性半导体(Ga_{1-x},Mn_x)As中,在有趣的实验范围内(锰浓度x为1/16和1/32),团簇化与交换耦合之间的相互作用。当x约为6%时,若考虑一个大超胞内两个原子的所有可能排列,Mn原子在最近邻Ga位上的聚集在能量上是有利的。如自旋密度分析所示,这种能量最低构型进一步局域化了一个空穴,并降低了有效载流子浓度。同时,交换耦合常数增加到一个对应于更低Mn浓度的值,且随着Mn原子间距的减小而增大。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0307364,
  title  = {Intrinsic hole localization mechanism in magnetic semiconductors},
  author = {H. Raebiger and A. Ayuela and R. M. Nieminen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307364},
  year   = {2009}
}

备注

Accepted for publication in Journal of Physics: Condensed Matter