拓扑绝缘体中铁磁性与反铁磁二聚体的共存
强关联电子
2024-02-05 v1
摘要
在拓扑绝缘体中添加磁性杂质可以驱动铁磁序，从而在远低于居里温度时产生新颖的量子反常霍尔输运。量子化区域的脆弱性被归因于磁矩分布的随机性质。在这里，我们通过使用非弹性中子散射和密度泛函理论计算来完善这一假设，表明两种对抗性组分定义了Mn取代SnTe中的磁性，从而限制了稀磁拓扑绝缘体的有效性。一种组分是强束缚的反铁磁二聚体，它们与铁磁序竞争。另一种组分由未形成二聚体的磁矩组成，其中铁磁序通过长程相互作用发展。
引用
@article{arxiv.2402.01531,
title = {Coexistence of Ferromagnetism and Antiferromagnetic Dimers in Topological Insulators},
author = {Farhan Islam and Deborah Schlagel and Yongbin Lee and Santanu Pakhira and Daniel M. Pajerowski and David C. Johnston and Liqin Ke and David Vaknin and Robert J. McQueeney},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.01531},
year = {2024}
}