In/Si(111)表面的金属-绝缘体相变
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
本文通过对该表面的简化模型进行 ab initio 计算，研究了在 In/Si(111)-4x1 重构中观察到的金属-绝缘体相变。根据不同表面能带的起源及其对几种结构畸变的响应，本文对这些能带进行了识别与分类。我们支持近期文献 [New J. of Phys. 7 (2005) 100] 所提出的观点，即剪切畸变与 Peierls 畸变的组合是导致该金属-绝缘体相变的起源。我们的结果似乎也倾向于支持该相变具有电子驱动力。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512613,
title = {Metal-insulator transition in the In/Si(111) surface},
author = {Sampsa Riikonen and Andres Ayuela and Daniel Sanchez-Portal},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512613},
year = {2009}
}
备注
Presented in the 23 European Conference in Surface Science, Berlin, September 2005. Submitted to Surface Science (proceedings of the conference) in August 2005